集微网报道 从三强争霸到四雄逐鹿，2纳米（nm）的厮杀声已然隐约传来。
无论是老牌劲旅台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）、三星（Samsung），还是誓言重回先进制程领先地位的英特尔（Intel），甚至初成立不久的新贵日本（Japan）Rapidus，都将目光锁定在了2025年，豪言实现2纳米（nm）首发。
看起来，即将到来的2025年不仅是2纳米（nm）制程的关键一年，更将是代工格局迎来重塑的拐点。只但是，据网站（沪昆回收站）观察，谁能折桂这一荣耀？
争先恐后
来看看“不约而同”的2纳米（nm）时间轴进程。
作为行业老大，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）称将如期在2025年上线2纳米（nm）工艺，2025年下半年进入量产。2纳米（nm）可谓是台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）的一个重大节点（Node），该工艺将采用nm（纳米）片晶体管（Nanosheet），取代FinFET，意味着台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）工艺正式进入GAA时代。
有报道称，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）在前不久已开始了2纳米（nm）工艺的预生产，英伟达NVIDIA（纳斯达克股票代码：NVDA）和苹果（Apple）有望成为首发客户。
一直在“坐二望一”的三星（Samsung）在3纳米（nm）率先以GAA开局，在2纳米（nm）层面自然也志在必得：在其最新公布的第二季度财务报告（财报）中表示，2纳米（nm） GAA的开发已步入正轨并进展顺利。
在之前三星（Samsung）也公布了2纳米（nm）量产的具体时间表：自2025年起首先将该技术用于移动终端；到2026年将适用于采用背面供电技术的高性能计算；2027年将其用途扩至汽车芯片（半导体芯片）。
反观英特尔（Intel）亦快马加鞭。自宣布实施I对话管理 （DM Dialog Management）2.0战略以来，英特尔（Intel）不遗余力四面出击，着力向“四年五个制程节点（Node）”的目标迈进，其中Intel（Intel 英特尔） 20A和Intel（Intel 英特尔） 18A分别对应2纳米（nm）和1.8纳米（nm）制程，英特尔（Intel）对此寄予厚望，激进宣布Intel（Intel 英特尔） 20A计划于2024年上半年投入使用，进展良好的Intel（Intel 英特尔） 18A也将提前至2024年下半年进入大批量（Batch）制造，在时间上誓要先发制人。
作为后来者，承载日本（Japan）代工业复兴大计的Rapidus亦不甘示弱，前不久公布了最新的生产计划，预计将在2025年试产2纳米（nm），采用IBM（IBM InternationalBusinessMachineCorp 国际商业机器） 2纳米（nm） GAA技术，目标是2027年大规模量产。
2025年，或将开启2纳米（nm）的“华山论剑”大戏。不过业内人士许然（化名）对集微网表示，谁家率先量产不是最重要的，就如三星（Samsung）率先量产3纳米（nm），但首先只是在挖矿芯片（半导体芯片）上采用，意义不太大，而且每家的2纳米（nm）也涉及物理尺寸的不同，不能一概而论。
反超机会？
瞄准2纳米（nm）决战，对于三星（Samsung）还是英特尔（Intel）来说的重要性还在于，他们均将2纳米（nm）工艺视为其超越竞争对手并重返先进制程领先地位的关键。
是什么给了他们底气？
从三星（Samsung）来看，由于率先3纳米（nm）制程中采用GAA架构，在GAA用于先进制程方面拥有了率先量产和磨合的先发优势。网站（沪昆回收站）说另外一个方面，三星（Samsung）还开发了MBCFET晶体管专利技术，为其2纳米（nm）工艺竞争力再添筹码。三星（Samsung）表示，与7纳米（nm） FinFET相比，MBCFET可将功耗降低50%，性能提高30%，并将晶体管占用面积减少45%，提供了卓越的设计灵活性。
如果说每一代工艺有每一代的“绝活”，那么无疑背面供电（BSPDN）技术将是影响2纳米（nm）对决之势的一大因素，据称，与 FSPDN前端供电网络相比，BSPDN的性能提高了44%，能效提高了30%，三大巨头也纷纷排兵布阵。
英特尔（Intel）在这一技术层面看似先行破发。不仅将在Intel（Intel 英特尔） 20A制程率先采用RibbonFET架构（相当于GAA架构），还将结合另一突破性技术背面供电PowerVia，这对晶体管微缩至关重要，可解决日益严重的互连挑战，提升（Boosting）芯片（半导体芯片）性能和能效。通过两大技术的“联合”，英特尔（Intel）认为这将是新的FinFET 时刻——参考英特尔（Intel）2012年在22纳米（nm）引入FinFET的荣光。
值得一提的是，英特尔（Intel）在第二季度宣布率先在产品级测试芯片（半导体芯片）上已实现PowerVia，相比台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）和三星（Samsung）领先两年，将为英特尔（Intel）的反超提供巨大的优势。
有消息称，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）计划在2026年推出N2P工艺，这一工艺将采用背面供电技术，而且三星（Samsung）也将在2纳米（nm）工艺采用BSPDN技术。
相较之下，2纳米（nm）是台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）首次从FinFET转至GAA，在架构迁移上相当于“落后”于三星（Samsung）。尽管台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）宣称，已在N2硅的良率和性能方面都取得了“扎实的进展”，但业内也有质疑说台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）的2纳米（nm） GAA工艺有良率“翻车”的风险。
前知名分析师陆行之在媒体直言，如果台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）研发速度太慢，2纳米（nm）再跟3纳米（nm）一样，离5纳米（nm）间隔3~4年，就很可能被超车，并称“一些设备商比较看好英特尔（Intel）2纳米（nm）/1.8纳米（nm）进度，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）内部也挺紧张的，到处打探消息”，但他同时也认为台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）有强大的执行力。
饶是如此，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）的综合实力依旧不容小觑。以赛亚调研(Isaiah Research)认为，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）和三星（Samsung）有更大的机会率先实现2纳米（nm）量产，因为这两大巨头过去在先进制程的良率和量产方面表现相对出色。
对此集微咨询也分析，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）和三星（Samsung）在先进工艺技术领域一步一个脚印，积累更全面、更扎实，向2纳米（nm）推进过程中相对率先实现的概率更高。英特尔（Intel）虽实现了7纳米（nm），但在5纳米（nm）和3纳米（nm）节点（Node）层面尚需积累量产和磨合经验，直接跳至2纳米（nm）扭转局面仍面临一定挑战。
先进封装的X因素
看起来2纳米（nm）是工艺的决战，但其实先进封装的重要性已然不可忽视。
先进封装与制程工艺可谓相辅相成，其在提高芯片（半导体芯片）集成度、加强互联、性能优化（Optimization）的过程中扮演了重要角色，成为助力系统性能持续提升（Boosting）的重要保障。为在工艺节点（Node）获得更大的赢面，押注先进封装已成为三大巨头的“显性”选择。
近些年来，英特尔（Intel）、三星（Samsung）和台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）一直在稳步投资先进封装技术，各自表现也可圈可点。
综合来看，在先进封装领域，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）的领先地位依旧凸显。据网站（沪昆回收站）了解到，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）在先进封装上已获得了可观的收入体量，技术布局也进入关键节点（Node），未来投入规模将持续加码。尤其是在人工智能（AI）产能需求持续升级之下，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）正积极扩充第六代2.5D先进封装技术CoWoS产能，将投资约28亿$(美元)打造先进封装厂，预计2026年底建厂完成、2027年第三季开始量产，月产能达11万片12英寸晶圆（晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅），涵盖SoIC、InFO以及CoWoS等先进封装技术。
半导体知名专家莫大康就表示，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）在CoWoS的产能大增，将十分有利于其争取2纳米（nm）讨单。而时刻保持“两手抓”，也让台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）的护城河愈加深厚。
英特尔（Intel）也不逞多让。通过多年技术探索，相继推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等多种先进封装技术，在互连密度、功率效率和可扩展性三个方面持续精进。在2023年5月，英特尔（Intel）发布了先进封装技术蓝图，计划将传统基板转为更为先进的玻璃材质基板，以实现新的超越。而且，英特尔（Intel）也在布局硅光模块中的CPO（共封装光学）技术，以优化（Optimization）算力成本。在先进封装领域，英特尔（Intel）或可与台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）同台竞技。
三星（Samsung）自然也紧追不舍。针对2.5D封装，三星（Samsung）推出的I-Cube封装技术可与台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）CoWoS相抗衡；3D IC技术方面，三星（Samsung）2020年推出X-Cube封装。网站（沪昆回收站）说另外一个方面，三星（Samsung）计划在2024年量产可处理比普通凸块更多数据的X-Cube封装技术，并预计2026年推出比X-Cube处理更多数据的无凸块型封装技术。
对此许然认为，三星（Samsung）在2.5D先进封装方面虽已布局多年，但是前道代工业务较弱，在一定程度上影响了其先进封装业务的进展，客户相对较少。不过随着台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）CoWoS短期内难以满足客户需求，三星（Samsung）有希望能接到部分订单，而且它还拥有唯一拥有从存储器、处理器芯片（半导体芯片）的设计、制造到先进封装业务组合的优势。
以赛亚调研指出，在先进封装领域，目前更加强调的是异构芯片（半导体芯片）的整合能力。例如，MI300封装将3纳米（nm） GPU（图形处理器graphics processing unit，又称显示核心、视觉处理器、显示芯片）与5纳米（nm） CPU芯片（半导体芯片）整合在一块，这种整合能力对于提高芯片（半导体芯片）性能和效能至关重要。因而，未来的比拼也将围绕这一能力展开。
全面考验
尽管看似巨头们各有伯仲，但2纳米（nm）的考验绝不止首发那么简单。莫大康提及，尽管上述巨头技术进阶的路径基本相同，且都采用荷兰阿斯麦公司（ASML）的高NA光刻机，但无论是良率、客户粘性和服务均将影响2纳米（nm）量产的进程。
以赛亚调研也提及，各家厂商的量产进程受到多种因素的影响，包括技术难度、资金投入、设备与材料支持等。
“根据目前的评估，台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）与三星（Samsung）将继续是2纳米（nm）制程的主要代工厂商，因在先进制程的良率和量产规模方面表现出色。英特尔（Intel）在技术研发方面虽具有一定的优势，但其晶圆（晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅）代工主要专注于自家产品，对外部客户的合作较为有限，这对突破先进制程的良率和量产稳定性带来了挑战。而日本（Japan）Rapidus虽拥有强大的研发资源，但主要专注在人工智能（AI）及超级计算机（Super computer）等相关产品，以在日本（Japan）建立自己的先进工艺供应链、服务日本（Japan）客户为优先，经济规模的量产还在其次。”以赛亚调研详细解读说。
其中，良率可谓至关重要，毕竟2纳米（nm）制程晶圆（晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅）代工报价约为24570$(美元)，成本如此之高低良率真心“伤不起”。
追溯历史，也可以看到，虽然台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）与三星（Samsung）都开始3纳米（nm）芯片（半导体芯片）的量产，但就算最领先的台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）也还在苦苦奋战5纳米（nm）的良率提升（Boosting）。连台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）都不敢保证，何时3纳米（nm）量产的良率能及格。也因此，日本（Japan）Rapidus要实现2纳米（nm）的量产，低良率恐怕会成为致命关键。
而影响良率的因素繁多，集微咨询指出，这涉及高NA光刻机、工艺优化（Optimization）、设计水平、经验等等。“良率需要不断优化（Optimization）提升（Boosting），如果某家厂商的良率高于竞争对手一个数量级，有可能客户在A家下的单，就会转至B家，变数还是很大的。”
客户的粘性也是诸多变量综合平衡的结果。在客户认可度方面，虽然台积电（tsmc 台湾积体电路制造股份有限公司，简称：台积电，英文：tsmc）是众多芯片（半导体芯片）客户们的首选，但为了供应链安全，客户们也会有自己的Plan B计划。
对于产能过剩的问题，以赛亚调研的结论是，因为2纳米（nm）的技术研发门槛及单价都偏高，客户要投片时会谨慎考量产品效能与成本间的平衡。在客户有限的情况下，各家晶圆（晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅）厂的扩产会更多根据客户需求开出，适时调配产能，因此要达到产能过剩的几率不高。
2纳米（nm）的代工格局走向究竟如何，要看四大厂商的“言之凿凿”到底有多少落到实处了。